Das MOSWELD SiC ist das ultimative Solid-State-Netzteil mit Siliziumkarbidtransistortechnologie. Mit der höchsten Gesamtenergieeffizienz auf dem Markt verringert es die Produktionskosten und erhöht dabei gleichzeitig die Zuverlässigkeit.
Das MOSWELD SiC ist das ultimative Solid-State-Netzteil mit Siliziumkarbidtransistortechnologie. Mit der höchsten Gesamtenergieeffizienz auf dem Markt verringert es die Produktionskosten und erhöht dabei gleichzeitig die Zuverlässigkeit.
Emmedi hat diese revolutionäre SiC-Halbleitertechnologie nach 60 Jahren im HFI-Schweißgeschäft erstmalig in einer seit 2016 installierten Reihe von HFI-Schweißgeräten eingeführt.
Die Entwicklung umfasst die Verwendung der SiC-Siliziumkarbid-Mosfet-Halbleitertechnologie anstelle der traditionellen Si-Silizium-Mosfet- und IGBT-Halbleiter.
Halbleiter dienen als Schalter, mit dem die HFI-Netzteile hohe Frequenzen insbesondere zum Schweißen von API-Rohren und Leitungen im Bereich von 150 – 500 kHz ausgeben können. Der wesentliche Vorteil besteht darin, dass der SiC-Halbleiter bei den für das HFI-Schweißen erforderlichen Hochfrequenzen in Spannung und Strom deutlich höhere Werte erreicht. Um diesen herausragenden Fortschritt ins rechte Licht zu rücken: Ein typisches HFI-Schweißgerät mit den herkömmlichen Halbleitern der Si-Technologie benötigt 64 Vorrichtungen pro 100 KW Ausgangsleistung.
Die neuen SiC-Halbleiter erreichen die Leistung von 100 KW jedoch mit nur vier SiC-Mosfet-Halbleitern.
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